消息稱臺積電2nm芯片生產良率達60%以上，有望明年量產
2024-12-09 08:42
12月9日，據(jù)外媒透露，臺積電計劃明年開始量產2納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺積電工廠進行試產，結果顯示其2nm制程的良率已達到60%以上。據(jù)介紹，臺積電的2nm工藝引入了一種新的晶體管結構——環(huán)繞柵極（Gate-All-Around, GAA）。GAA晶體管通過垂直排列的水平納米片，在四個側面包圍通道，而前代的鰭式場效應晶體管（FinFET）僅能覆蓋三面。GAA晶體管具有更低的漏電率和更高的驅動電流，從而提升了性能。
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